新聞資訊

2020-09-16

大型紫外3D直寫光刻設備iGrapher3000投入運行

大型紫外3D直寫光刻設備iGrapher3000,在蘇大維格科技集團下線,并投入工業運行。iGrapher3000主要用于大基板上的微納結構形貌的3D光刻,是新穎材料、先進光電子器件的設計、研發和制造的全新平臺,堪稱為光電子產業基石性裝備,為產業合作創造新機遇。

2020-09-16

九三學社青島市委領導蒞臨蘇大維格調研

8月11日,青島市政協副主席、九三學社青島市委主委趙鐵軍一行蒞臨蘇大維格集團,在董事長陳林森的帶領下參觀了集團主要科研成果和技術產品。

2020-09-16

蘇大維格集團董事長陳林森榮獲“發明創業獎·人物獎”特等獎和“當代發明家”榮譽稱號

7月29日,第十四屆中國發明家論壇暨第十一屆“發明創業獎·人物獎頒獎典禮”在北京中國科技會堂隆重舉行。蘇大維格集團董事長陳林森獲得第十一屆“發明創業獎·人物獎”特等獎,同時被授予“當代發明家”榮譽稱號。

2020-09-16

2020第16屆包裝印刷年會,蘇大維格納米3D印刷技術驚艷亮相

2020年9月10日,2020第16屆包裝印刷年會在蘇州盛大召開。蘇大維格集團作為本次年會的承辦單位,帶來了干貨滿滿的主題演講以及豐富的納米3D印材產品,力求為包裝印刷行業提供更多選擇,更好地滿足客戶多樣化的需求。

 

背光模組超薄導光板(膜)

熱壓印工藝將精密模具上微結構復制到光滑塑性板材或薄膜表面,微光學網點結構有效地將全內反射進入導光板(膜)光線導出表面。通過微結構優化中大尺寸導光板(膜),光線從接近正出射角度導出,亮度更高,更均勻。

 

大尺寸透明導電膜(模組)

“基于柔性納米壓印技術”的新型透明導電膜制造技術,采用micro-metal-mesh(M3)制程工藝,顛覆了精密電路需要蝕刻的傳統工藝,通過納米壓印和增材制造(選擇性生長),獲得大幅面高性能透明導電膜和自支撐透明導電材料

 

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蘇州蘇大維格科技集團股份有限公司

 

總部

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最新公告

2019-04-08

蘇大維格喜獲2018年度江蘇省科學技術獎一等獎

蘇州蘇大維格科技集團股份有限公司(以下簡稱“公司”)于近日收到江蘇 省人民政府下發的《省政府關于 2018 年度江蘇省科學技術獎勵的決定》[蘇政發 (2019)22 號],公司獲得 2018 年度江蘇省科學技術獎一等獎。

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2019-01-09

項目介紹:面向微納3D形貌的紫外光刻直寫技術與設備

超薄化、輕量化意味著微納結構的運用。然而,大面積3D微納結構的設計與制造面臨巨大挑戰。首先,大面積3D微納結構涉及海量數據處理與設計。例如,一個超薄導光器件上的微透鏡有數千萬個以上;一件口徑10mm以上的超透鏡,含有數十億到數百億個數據單元;一幅大尺寸透明電路傳感器涉及數十Tb以上的數據量;大口徑薄膜成像透鏡涉及精確3D形貌,數據量會數量級增大;第二,將設計數據轉換成微納結構的途徑與效率。如何將這么龐大數據直接轉換成微納3D結構?不僅需要高速率海量數據并行處理、壓縮、傳輸與轉化技術,還需轉換系統的高精度、可調性與可靠性;第三,先進工藝技術保障。大面積襯底伴隨著不平整度遠大于光刻系統的焦深,因此,必須解決襯底不平整性對微結構分辨率和保真度的影響,解決與成像焦深的矛盾,才能實現高保真3D微結構的高效率制備。

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2019-01-09

項目介紹:光場調控的納米光刻設備NanoCrystal200

研究表明,微納尺度界面與光電子相互作用產生的效應,是設計超材料、超表面的新途徑。微納結構制造技術是實現薄膜成像、透明導電、電磁隱身等技術基礎。由于3D 形貌及其排列精度對光子材料與器件的特性有極其重要的影響,因而,在大面積襯底上實現納米精度的微納結構的高效制備,一直是國際關注的重大共性難題。

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2019-01-09

項目介紹:微納3D打印/光刻技術與設備

在微結構打印方案中,已有的3D打印技術存在諸多限制,未有效解決器件尺寸與精度之間的矛盾、也存在3D結構打印保真度與可靠性不協調的難題。1、利用超快激光的“雙光子效應”的3D打印,分辨率可達0.1微米,但串行寫入模式,效率極低、對環境穩定性要求極高,打印尺寸一般小于300微米。由于耗時太長,所以,可靠性降低;受制于非線性材料特性和處理工藝,打印一致性很難保障;2、光固化3D打印(SLA),利用膠槽供膠與DLP投影光逐層打印的方法,打印的特征尺寸一般大于50微米,受投影比例限制,打印面積數毫米。由于累積曝光效應,對膠槽中光固化膠的吸收特性有嚴格要求,易導致打印的結構展寬,尤其對大深寬比微結構的打印,失真嚴重。

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